近日，北方华创获得苏州客户氮化镓工艺装备批量采购订单，产品包括刻蚀机、PECVD在内的数十台设备，应用于客户扩产5G基站用氮化镓功放芯片项目。这是北方华创半导体装备应用于宽禁带半导体领域的重大突破。
北方华创本次销售两种型号的刻蚀机，分别应用于正面工艺中的台面刻蚀，SiNx栅槽刻蚀，GaN、SiNx极慢速低损伤刻蚀，以及SiC深孔的高速、均匀刻蚀。本次销售的PECVD设备用于宽禁带化合物半导体器件钝化层、结构层、牺牲层等制备应用。
此外，在宽禁带化合物半导体领域，北方华创还可以提供SiC晶体生长炉、高温氧化炉、清洗机等多种关键工艺装备。
5G商用时间表正在加速推进中，作为5G不可替代的核心技术，具有高频率、高功率特性的GaN宽禁带半导体产业将迎来快速发展，为北方华创宽禁带半导体设备带来了新的发展机遇。