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半导体分立器件测试仪

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品牌: 西安易恩电气
电压频率: 50Hz±1Hz
系统功耗: 320W
尺 寸: 800x800x1800mm
单价: 188.00元/台
最小起订量: 1 台
供货总量: 100 台
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2020-10-10 09:30
浏览次数: 24
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详细信息
 EN-3020B分立器件测试仪

概述:EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。

系统特点:

功率源 3000V/200A

测试系统整体采用计算机操控

测试数据由计算机记录,并进行 Excel 处理

采用脉冲法测试,脉宽为国军标

自动化程度高(可按设定的程序自动测试)

测试灵活(完美应对器件及多单元模块测试)

Labview 平台开发,数据编辑处理功能强,菜单式,模块化,人机友好设备操作简单、性能稳定非常适合电气,电子类厂商, 研究所做 IQC 来料检验、器件选型,失效分析以及学校教学和轨道机车地铁高铁检测使用。

●规格环境

尺寸:250×570×280(mm)

质量:15kg

环境温度:15~40℃

工作电压;AC220V±10%(无严重谐波)

电网频率:50Hz

通信接口;USB RS232

功能单元

参数指标

基本参数

功率源:3000V/200A

栅极-发射极漏电流

IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA

IGES

集电极电压VCE: 0V

栅极电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V

 

 

集电极电压VCES: 200-3000V±2%±10V

集电极-发射极电压

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

 

栅极电压 Vge: 0V

集电极-发射极饱和

VCESat:0.1-5V±2%±0.01V

电压VCESat

栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V

集电极电流ICE: 10-100A±2%±1A

 

集电极-发射极截止

集电极电压VCE: 200-3000V±3%

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

电流ICES

栅极电压VGE: 0V

 

栅极-发射极阈值电

VGEth: 1-10V±2%±0.1V

Vce=15V

 

二极管压降测试

VF: 0.1-5V±2%±0.01V

IF:5-100A±2%±1A

 

 

Vge: 0V

反向击穿BVR

BVR:200-3000V±2%±10V

反向漏电流IR

IR:0.1-10mA±3%±0.01mA

 

导通电阻RDS(on)

1-10mΩ±2%±0.1 mΩ

10-50mΩ±2%±0.5 mΩ


半导体分立器件测试仪
网址: http://www.pangtui.com/sell/show-19633.html
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